功能描述：MOSFET N-CH 100V 55A TO251A

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：AlphaSGT?

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：55A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：50nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2305pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：73W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-251A

封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

标准包装：70

AOI2N60

AOI2N60A

AOI403

AOI409

AOI4102

AOI4126

AOI4130

AOI4146

AOI418

AOI4184